Американская компания NEO Semiconductor анонсировала создание прототипа новейшей стековой оперативной памяти 3D X-DRAM, который может решить проблему нехватки ОЗУ. Данная разработка уже привлекла интерес инвесторов и производителей памяти.
- Разработка прототипа 3D X-DRAM осуществлена NEO Semiconductor.
- Привлечение инвестора Стэна Ши, основателя Acer и бывшего руководителя TSMC.
- Сотрудничество с Национальным университетом Янмин Цзяотун и Тайваньским научно-исследовательским институтом полупроводников.
- Задержка чтения/записи менее 10 нс, время регенерации — более 1 секунды.
- Плотность записи 512 Гбит на кристалл, пропускная способность в 16 раз выше, чем у HBM.
Перспективы и достижения NEO Semiconductor
NEO Semiconductor, которая год назад испытывала трудности с привлечением поддержки, сегодня активно ведет переговоры с ведущими производителями памяти. Сотрудничество с известными учебными учреждениями Тайваня и успешная разработка прототипа стали ключевыми факторами для привлечения инвестиций.
Технические характеристики 3D X-DRAM
По заявлению разработчиков, новая память будет обладать высокой плотностью и пропускной способностью. Это стало возможным благодаря стековой компоновке и широкой шине данных, что значительно улучшает характеристики по сравнению с существующими решениями.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Задержка чтения/записи | менее 10 нс |
| Время регенерации при 85 °C | более 1 секунды |
| Плотность записи | 512 Гбит на кристалл |
| Пропускная способность | в 16 раз выше HBM |
Таким образом, NEO Semiconductor poised to revolutionize the memory market with its innovative solutions, potentially presenting competitive products в ближайшем будущем.